MOSFET裸片:裸片碳化硅MOSFET

        CPM3-1200-0075A是Wolfspeed的1200V裸片碳化硅MOSFET–第3代。Wolfspeed的第3代系列1200V碳化硅MOSFET针对高功率应用进行了优化Wolfspeed提供一系列1200V碳化硅(SiC)MOSFET，它们针对不间断电源(UPS)等大功率应用进行了优化；电机驱动器；开关电源；太阳能和储能系统；电动汽车充电；高压DC/DC转换器；和更多。基于最新的第三代技术；Wolfspeed的1200V碳化硅MOSFET包括一系列导通电阻和封装选项，使设计人员能够为其应用选择正确的部件。1200VMOSFET专为超低RDS(ON)和增加的CGS/CGD比率而设计，以提高硬开关性能。软开关应用也可以从更线性的COSS行为中受益。

将Wolfspeed的1200VSiC二极管与SiCMOSFET搭配使用，可在要求苛刻的应用中实现更高效率的强大组合。从基于硅的解决方案转向碳化硅所获得的效率有助于减小系统尺寸；重量;设计复杂性；大多数大功率应用中的成本。一系列顶面和背面金属化选项和芯片布局为模块设计人员提供了选择组装工艺和模块布局的灵活性。。

CPM2-1200-0025A

好处

•更高的系统效率

•降低冷却要求

•提高功率密度

•提高系统开关频率

特征

•高阻断电压和低导通电阻

•低电容的高速开关

•易于并联且易于驱动

•雪崩耐用性

•耐闩锁-u

应用

•太阳能逆变器

•开关模式电源

•高压DC/DC转换器

•电池充电器

•电机驱动

•脉冲电源应用

阻断电压:1200V

电阻75hR

栅极电荷总数54nC

输出电容58pF

反向恢复电荷109nC

反向恢复时间25纳秒

最高结温175°C